【大发3d开奖结果】存储技术的新突破,3D XPoint技术强在哪?

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存储技术的新突破,3D XPoint技术强在哪?

  • 2016/5/6 11:13:07
  • 类型:原创
  • 来源:电脑报
  • 报纸编辑:电脑报
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【电脑报在线】由英特尔和镁光联合推出的3D XPoint技术在2016年大出风头,先是年初英特尔展示了采用该技术的存储产品,而是 在4月初,英特尔又签署斥资35亿元在中国生产产品。

       由英特尔和镁光联合推出的3D XPoint技术在2016年大出风头,先是年初英特尔展示了采用该技术的存储产品,而是 在4月初,英特尔又签署斥资35亿元在中国生产产品。当然最吸引亲戚亲戚朋友儿关注的是3D XPoint存储产品出色的性能:数率比目前的NAND快50倍,而储存密度则是DRAM的10倍。没法 3D XPoint究竟是何方神圣,它是怎样才能实现没法 优异的性能的呢?

3DXPoint的原理

       3DXPoint是并有无新型非易失性存储技术,可用于NAND和DRAM,其是由多层线路构成的三维内部。机会其他同学会说这不而是 英特尔版的3D V NAND。尽管3D层叠技术是3DXPoint的一大亮点,而是 3D XPoint不仅仅是将存储单元层叠起来没法 简单,其在基本工作原理上与传统的NAND有着极大的区别。

       传统NAND,采用的是电容储存原理,依靠的是浮动栅级上的绝缘层形成一另1个等效电容,依靠控制这种等效电容上有无储存有电量,就还都要判断出这种单元存储的是1机会0,这就达到了存储数据的目的。而3DXPoint则采用了全新的储存原理,其存储单元是并有无很特殊的电阻材料,这种电阻材料有非常神奇的内部:即施加不同的电压,其内部材料的内部会产生巨大的变化,从而使电阻阻值产生极大的变化,当电压撤除后,其阻值依旧会保持。打个比方,当在存储电阻添加载正电压时,电阻会呈现低电阻情形,而施加负电压时,内部材料变化,从而形成高阻抗区,让电阻阻值急剧升高,变成高阻值情形,那我,依靠施加电压的改变,就还都要让存储单元在高低阻值间切换,就还都要让每一另1个存储单元表征出1或0,就达到了存储数据的目的。



图:传统NAND闪存依靠电容原理来存储数据。

 

图:3DXPoint的可变电阻阻抗转换原理

本文出自2016-05-02出版的《电脑报》2016年第17期 E.硬件DIY (网站编辑:pcw2013)

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